Компания Infineon Technologies запускает новую линейку RF-транзисторов с защитой от электростатического разряда (ESD-protection), предназначенных для применения в современных высокочувствительных устройствах беспроводной связи. Новые биполярные транзисторы обладают низкими шумовыми характеристиками и предоставляются как в стандартном, так и в уменьшенном форм-факторе для плат малых размеров.

Использование усилителя шумов низкой частоты (LNA) в сигнальном тракте позволяет значительно снизить риск электростатического пробоя, делая новые транзисторы от Infineon прекрасным выбором для применения в мобильных устройствах, беспроводных роутерах, модулях WiMAX и GPS, активных антеннах и карточках Wi-Fi.

Новые транзисторы также обладают высокими показателями усиления входного сигнала и коэффициента интермодуляции, что положительным образом сказывается на их чувствительности. Показатели же защищённости от электромагнитного пробоя выросли в 10 раз по сравнению с предыдущей моделью, а показатели максимального входного усиления были увеличены с 10 до 100 мВт, в то время как показатель фигуры шумов зафиксирован на 0.6 дБ на 2,4 ГГц частотах.

В пробных партиях новые транзисторы серий BFP640ESD, BFP720ESD и BFP740ESD в корпусах SOT343 и TSFP-4 доступны с июля 2010 года. Цена за одну штуку — от $0.40 до $0.50.

Источник: GPSClub